شرکت اینتل اعلام کرد از سال آتی فناوری 3D-NAND را وارد بازار جهانی می‌کند تا با این اتفاق کاربران بتوانند حافظه‌های ذخیره‌ساز اطلاعات را با ظرفیت بالاتر و قیمت ارزان‌تر در اختیار بگیرند.
به گزارش شبکه خبری دولت الکترونیک از رایورز، این فناوری هم‌اکنون در بزرگ‌ترین رقیب اینتل یعنی سامسونگ مورد استفاده قرار می‌گیرد و طی آن از لایه‌هایی در مقیاس نانو به صورت عمودی استفاده می‌شود تا ظرفیت حافظه‌ها افزایش یابد و اندازه آنها نیز کوچک شود.
با این وجود، درایوهای V-NAND سامسونگ که دومین نسل از این محصول محسوب می‌شوند، محدودیت‌های فراوانی را پیش‌روی خود می‌بینند و هر واحد از آنها تنها می‌تواند ۳.۲ گیگابایت اطلاعات را در خود ذخیره کند.
.jpg)
در مقابل فناوری 3D-NAND اینتل قادر است در هر ۳۲ لایه خود ۲۵۶ میلیارد بیت اطلاعات را ذخیره کند و به عبارت دیگر در هر واحد از آن ۳۲ گیگابایت اطلاعات ذخیره می‌شود که این اتفاق یک ارتقاء قابل ملاحظه نسبت به مدل سامسونگی است.
شرکت اینتل بر این باور است که سال آینده مدل یک ترابایتی از حافظه‌های اطلاعاتی خود را روی یک تراشه واحد با ضخامت ۲ میلیمتر عرضه کند و این شرکت پیش‌بینی کرده است پایان سال ۲۰۱۵ میلادی کارت‌های حافظه ۱۰ ترابایتی کوچک و میلیمتری خود مخصوص سرورها را در بازار جهانی به فروش برساند.
